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[发明专利]一种提高硒化镉粉体流动性的方法-CN202210672367.2在审
发明人：周荣艳;朱卓南;文崇斌 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高硒化镉粉体流动性的方法，属于粉体材料技术领域。本发明的一种提高硒化镉粉体流动性的方法，包括以下步骤：(1)将硒化镉锭块破碎处理，得硒化镉颗粒A；(2)将硒化镉颗粒A进行脱氧处理，得硒化镉颗粒B；(3)将硒化镉颗粒B滚磨处理，得所述硒化镉粉体。本发明通过硒化镉粉体间的自身的作用力来提高流速，不掺入其他提高流速的辅料，减少杂质的引入对硒化镉粉体的性能带来的影响；本发明提高硒化镉粉体流动性的方法制备工艺简单，对设备要求较低，成本较低，适用于产业化
一种提高硒化镉粉体流动性方法

[发明专利]一种高纯硒化镉多晶材料的气相合成方法-CN201710900796.X有效
发明人：宋梁成;雷作涛;赵丹洋;杨春晖 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：一种高纯硒化镉多晶材料的气相合成方法，它涉及一种硒化镉多晶材料的合成方法。本发明的目的是要解决现有硒化镉合成方法存在反应温度高，耗时长，且生产的硒化镉纯度低的问题。气相合成方法：一、称取单质硒和单质镉；二、气相合成：①、反应区加热；②、冷凝区控温；③、单质硒气化；④、单质镉气化；⑤、气相合成，硒化镉多晶以固态形式沉积，未充分反应的气态单质硒与气态单质镉流至冷凝区并沉积，冷却至室温，得到硒化镉多晶粉体。提高硒化镉多晶粉体纯度，纯度＞99％。本发明主要用于气相合成高纯硒化镉多晶。
气相合成硒化镉多晶材料高纯硒化镉多晶粉体气态单质合成单质硒冷凝区沉积单质多晶气化固态形式反应区称取控温加热耗时冷却生产

[发明专利]一种微通道反应器连续制备量子点的方法-CN201610090339.4有效
发明人：徐建鸿;田震昊;王玉军;骆广生 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：所述的量子点为硒化镉单核量子点或硒化镉/硫化锌核壳型量子点。将制备的镉前驱溶液与硒前驱溶液加热到反应温度后混合，进行反应，得到小粒径的硒化镉量子点溶液；继续加入镉前驱溶液，使小粒径的硒化镉量子点生长，得到大粒径的硒化镉量子点溶液；或将小粒径的硒化镉量子点溶液与制备的硫化锌前驱溶液在室温下混合后，再加热到反应温度进行反应，获得硒化镉/硫化锌核壳型量子点溶液；将上述量子点溶液再进行后处理最终得到硒化镉单核量子点或硒化镉/硫化锌核壳型量子点。
量子点硒化镉硒化镉量子点前驱溶液硫化锌核壳型量子点小粒径制备微通道反应器连续制备单核量子点溶液后处理化工领域大粒径再加热加热生长调控

[实用新型]一种钙钛矿-碲化镉/掺硒碲化镉叠层太阳能电池-CN202221832800.6有效
发明人：严册;肖诚斌;王博;赵彬 -专利权人：中国光大绿色技术创新研究院有限公司;光大环境科技（中国）有限公司;光大环保技术研究院（深圳）有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种钙钛矿‑碲化镉/掺硒碲化镉叠层太阳能电池，其包括：钙钛矿子电池和碲化镉/掺硒碲化镉子电池，所述钙钛矿子电池与所述碲化镉/掺硒碲化镉子电池设置为上下堆叠，所述碲化镉/掺硒碲化镉子电池包括碲化镉吸收层和掺硒碲化镉吸收层本申请通过引入掺硒碲化镉吸收层修复碲化镉吸收层的晶格缺陷，减少光生载流子被缺陷散射，促进光生载流子的定向传输，提高载流子的寿命，优化了碲化镉吸收层，提升了碲化镉/掺硒碲化镉子电池的光电转化效率；以及通过设置含螯合剂的聚合物薄膜作为铅离子吸收层
一种钙钛矿碲化镉掺硒碲化镉叠层太阳能电池

[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池的吸收层掺硒工艺-CN201711079180.7在审
发明人：彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;杨少飞 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池的吸收层掺硒工艺，包括步骤1)依次沉积透明导电层、高电阻层及窗口层；2)在硒气氛下沉积碲化镉薄膜获得掺硒碲化镉薄膜，所述硒气氛为硒在真空条件下高温蒸发获得；3)在氯化镉气氛下高温处理掺硒碲化镉薄膜本发明可以实现在碲化镉薄膜中掺杂硒，达到改变碲化镉薄膜带隙的目的，从而提高碲化镉薄膜太阳能电池的短路电流与转换效率。
一种碲化镉薄膜太阳能电池吸收层掺硒工艺

[发明专利]一种锰扩散掺杂硒化镉/硫化镉核壳结构量子点的制备方法-CN202210563273.1有效
发明人：王凯;默壵;濮超丹 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明涉及纳米半导体材料技术领域，主要是一种锰扩散掺杂硒化镉/硫化镉核壳结构量子点的制备方法，首先将锰前驱体溶液加热后与硒化镉量子点前驱体溶液混合，制备得到锰扩散掺杂硒化镉量子点；然后将锰扩散掺杂硒化镉量子点与非极性溶剂混合加热后，注入硫前驱体溶液，反应得到锰扩散掺杂硒化镉/硫化镉核壳结构量子点溶液，清洗、干燥，得到锰扩散掺杂硒化镉/硫化镉核壳结构量子点。本发明操作较为简单，可控性较高，具有较好的复现性，且核壳尺寸与锰掺杂浓度均可调控，利于锰扩散掺杂硒化镉/硫化镉核壳结构量子点的规模化生产。
一种扩散掺杂硒化镉硫化镉核壳结构量子制备方法

[发明专利]一种制备硫硒化镉量子点玻璃的方法-CN201510089608.0有效
发明人：李宏;陈方祎 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C03C4/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备硫硒化镉量子点玻璃的方法。一种制备硫硒化镉量子点玻璃的方法，其特征在于包括以下步骤1）制备硫硒化镉颜色玻璃；2）制备硫硒化镉量子点玻璃将制备好的硫硒化镉颜色玻璃进行热处理，在580℃‑670℃范围内的不同热处理制度下得到量子点尺寸和分布不同的硫硒化镉量子点玻璃本发明采用合适的热处理制度，控制硫硒化镉生长到量子点尺寸范围。本发明提供的制备硫硒化镉量子点玻璃的方法为硫硒化镉量子点玻璃制备技术以及量子点可控析晶技术的获得提供了很好的解决方案，也为改善现有白光LED发光性能和提高太阳能电池的频谱转换效率提供新的解决途径。
一种制备硫硒化镉量子玻璃方法

[发明专利]一种热压后退火改善硒化镉薄膜质量的方法-CN202210842993.1在审
发明人：唐江;杨许可;陈超;李康华;薛家有;卢岳;包晓庆 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体薄膜退火处理技术领域，公开了一种热压后退火改善硒化镉薄膜质量的方法，该方法是以硒化镉薄膜为处理对象，在保护性气体的气氛环境下，将硒化镉薄膜直接与导热基底贴合，同时对所述硒化镉薄膜施加压力，在保持压力条件下进行加热退火；由此得到的退火后的硒化镉薄膜相较于处理前的硒化镉薄膜，晶粒尺寸更大、且薄膜孔隙率更小。本发明通过在退火过程中对薄膜进行额外加压，配合加热热火对硒化镉薄膜进行后处理，能够改善当前硒化镉薄膜多孔与高粗糙度问题。
一种热压退火改善硒化镉薄膜质量方法

[发明专利]硒化镉量子点和纳米多孔碳复合材料及其制备方法-CN201710202017.9有效
发明人：李亚丰;杭云海 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明提供一种硒化镉量子点和纳米多孔碳复合材料及其制备方法。所述硒化镉量子点和纳米多孔碳复合材料由硒化镉量子点和纳米多孔碳复合形成，所述硒化镉量子点原位生长于所述纳米多孔碳的表面，所述纳米多孔碳通过在惰性气体保护下煅烧沸石咪唑酯类配位聚合物得到。本发明的纳米多孔碳具有比表面积大、孔道均匀、孔道尺寸大的优点，在与硒化镉量子点形成复合材料时可提高硒化镉量子点的分散度，控制硒化镉量子点的晶粒尺寸，减少小尺寸的硒化镉量子点的生成，使复合材料的光催化效率以及寿命得到明显改善
硒化镉量子纳米多孔复合材料及其制备方法

[发明专利]掺砷或其化合物的硒化镉及其制备方法、薄膜太阳能电池及其制备方法-CN202010989379.9有效
发明人：李德官;朱刘;文崇斌;胡智向;杨浩;朱卓南 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本公开提供一种掺砷或其化合物的硒化镉及其制备方法、薄膜太阳能电池及其制备方法。步骤S1，混合硒、镉、砷或其化合物，得到混合物料；步骤S2，将所述混合物料进行高温高压煅烧，然后降温降压，制得掺砷或其化合物的硒化镉初料；步骤S3，将所述掺砷或其化合物的硒化镉初料进行破碎筛分，得到的掺砷或其化合物的硒化镉初料粉末经氢化除杂，制得掺砷或其化合物的硒化镉产品。使用根据掺砷或其化合物的硒化镉的制备方法制备得到的掺砷或其化合物的硒化镉取代硫化镉作为碲化镉薄膜太阳能电池中的n型薄膜层，能够提高p‑n结的电势差。
化合物硒化镉及其制备方法薄膜太阳能电池

[发明专利]硒化镉和碲化镉量子点的合成方法-CN200410011201.8有效
发明人：王强;潘道成;聂伟;蒋世春;姬相玲;安立佳 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： C01G11/00 文献下载
摘要：本发明属于溶剂热法合成硒化镉和碲化镉量子点的方法，该方法是以含2～18个碳原子的烷基羧酸镉或氧化镉为镉源，硒粉和碲粉分别为硒源和碲源，镉源和硒源或碲源的摩尔比为5∶1－1∶5，并使用三辛基膦溶解硒粉和碲粉，油酸、十六烷基胺或三辛基氧化膦为包裹剂，镉源和包裹剂的摩尔比为1∶2－1∶6，苯、甲苯、环己烷、正己烷或正庚烷为溶剂，镉源的浓度为0.001－0.015M，在高压釜内140－180℃的条件下加热0.8－16小时来完成反应的，并且通过改变反应时间获得不同尺寸的硒化镉和碲化镉量子点。合成的硒化镉和碲化镉量子点具有较窄的尺寸分布，表现为较窄的荧光发射，硒化镉量子点荧光发射峰半峰宽为22－33nm，碲化镉量子点荧光发射峰半峰宽为29－35nm。
硒化镉碲化镉量子合成方法

[发明专利]一种超高纯度硒化镉多晶材料的制备方法-CN201610901396.6有效
发明人：李焕勇;张家豪 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高纯度硒化镉多晶材料的制备方法，原料使用纯度≥99.999％的高纯块状镉和纯度≥99.999％的块状硒，组成成分镉/硒为1.0:(1.0～1.03)，接近理想化学计量比，可直接用作硒化镉单晶体生长原料选用内径介于Φ10～Φ50mm的管状电子级石英安瓿，并将石英安瓿水平置于管式炉内制备超高纯度硒化镉多晶材料。本发明方法硒化镉多晶粉体材料制备过程一步完成，保温时间短，产率高，无需提纯，因而工艺简单，成本低，具有实现超高纯度硒化镉规模制备的前景。
一种超高纯度硒化镉多晶材料制备方法

[发明专利]掺砷或其化合物的硒化镉及其制备方法、薄膜太阳能电池及其制备方法-CN202010989392.4有效
发明人：李德官;朱刘;文崇斌;胡智向;杨浩;朱卓南 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本公开提供一种掺砷或其化合物的硒化镉及其制备方法、薄膜太阳能电池及其制备方法。掺砷或其化合物的硒化镉的制备方法包括以下步骤：步骤S1，混合硒粒、镉粒、砷或其化合物的颗粒，得到混合物料；步骤S2，将混合物料放入石英管中并在真空环境中将石英管封管，然后进行加热处理，冷却，制得掺砷或其化合物的硒化镉初料；步骤S3，将掺砷或其化合物的硒化镉初料进行破碎筛分，得到的掺砷或其化合物的硒化镉初料粉末经氢化除杂，制得掺砷或其化合物的硒化镉产品。使用根据掺砷或其化合物的硒化镉的制备方法制备得到的掺砷或其化合物的硒化镉取代硫化镉作为碲化镉薄膜太阳能电池中的n型薄膜层，能够提高p‑n结的电势差。
化合物硒化镉及其制备方法薄膜太阳能电池

[发明专利]一种陶瓷喷墨墨水的制备方法-CN201510255637.X在审
发明人：吴权武 -专利权人：吴权武
申请日： 2015-05-19 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： C04B41/85 文献下载
摘要：本发明公开一种陶瓷喷墨墨水的制备方法，其特征在于，它由包裹型硫硒化镉色料或包裹型硫化镉色料制成，所述包裹型硫硒化镉色料为硅酸锆包裹型硫硒化镉色料，二氧化硅包裹型硫硒化镉色料，二氧化锆包裹型硫硒化镉色料中的一种或几种所述包裹型硫化镉色料为硅酸锆包裹型硫化镉色料，二氧化硅包裹型硫化镉色料，二氧化锆包裹型硫化镉色料中的一种或几种。与现有技术相比，本发明创造性地运用包裹型硫硒化镉色料来制作陶瓷喷墨墨水，一举突破硅酸锆包裹型硫硒化镉色料难以用来制备喷墨墨水的技术桎梏，使喷墨墨水的颜色可以配置成从黄色到橙色再到深红色的一系列颜色，色彩丰富
一种陶瓷喷墨墨水制备方法

[发明专利]一种提升硒化镉薄膜质量的原位气封退火方法-CN202210760569.2在审
发明人：唐江;薛家有;陈超;杨许可;李康华;卢岳;包晓庆 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域，公开了一种提升硒化镉薄膜质量的原位气封退火方法，该方法是以快速热蒸发方法制备得到的硒化镉薄膜为处理对象，在保护性气体的气氛环境、且气氛环境的压强在50～500Torr的条件下，于450～600℃温度对该硒化镉薄膜进行原位退火，由此得到的退火后的硒化镉薄膜相较于处理前的硒化镉薄膜，孔洞数量更少，且粗糙度也更小。本发明通过在特定温度及特定环境气氛条件下对硒化镉薄膜进行原位热退火处理，能够解决现有的基于快速热蒸发法制备的硒化镉薄膜质量不佳的技术问题。
一种提升硒化镉薄膜质量原位退火方法

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